• TG401_EVB Cortex M4开发板

    在软件开发方面,致象科技为开发者提供了一整套丰富实用的软件开发包,包括开发工具链,应用例子,驱动程序,中间件,以及调试脚本。TG401软件平台不仅符合ARM CMSIS标准,支持ARM DSP库,还移植了FreeRTOS/uCOS等实时操作系统,支持常用网络协议。这些都极大程度简化了开发者的开发难度。活动时间

    2021-08-12 IGBT 1

  • 如何有效地检测SiC MOSFET

    随着宽禁带半导体技术的日益普及,需要在高温和苛刻的电流循环条件下,对二极管操作进行各种耐久性测试,以评估其性能。毫无疑问,功率电子器件作为基本元器件,将在未来几年中持续发展。而新型碳化硅(SiC)半导体材料更是不负众望,它比传统硅材料导热性更佳、开关速度更高,而且可以使器件尺寸做到更小。因此,碳化硅开关也成为设计人员的新宠。碳化硅二极管主要为肖特基二极管。第一款商用碳化硅肖特基二极管十多年前就已推

    2020-10-10 8

  • IGBT的设计与仿真

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    2020-10-10 11

  • 代理销售产品型号

    英飞凌 原装现货富士 产品 原装现货1ED020I12-F22MBI150VA-060-50FF150R12RT42MBI200VA-060-50FF200R12KT42MBI200VH-120-50FGL40N120ANDT2MBI200VH-170-50IHW30N135R52MBI300VH-120-50IHW30N160R52MBI300VH-170-50IHW30N160R22MBI40

    2020-08-07 13

  • 半导体 | 高速IGBT和SiC-SBD相结合的高速混合型模块

    半导体 | 高速IGBT和SiC-SBD相结合的高速混合型模块原创: 富士电机(中国)  10月17日近年来,为进一步实现电力转换装置的小型轻量化和高效化,需要在高频区域进行电力转换的应用日益增多,这就要求开关器件速度更快和损耗更低。富士电机将高频区域下,损耗低的高速IGBT和SiC-SBD相结合,开发了高速混合型模块,实现了开关损耗的大幅降低。其结果,变频器在高频运

    2019-12-19 40

  • 2MBI1000VXB-170E-54

    物料物料描述品牌品名date库存数J45AF-18367FMV06N90EFUJIMOS管2019-1-18100J45AF-11349FMH23N50EFUJIMOS管2018-8-16100J45AF-13591FQA46N15FAIRCHILDMOS管2015-2-28188J45AF-11349FMH23N50EFUJIMOS管2018-7-30353J45TF-24287FGW75N65

    2019-12-16 73

  • 第7代X系列IGBT模块产品线扩容

    第7代X系列IGBT模块产品线扩容原创: 富士电机(中国) 8月14日富士电机株式会社(总部位于日本东京,总裁北泽通宏)很高兴宣布公司已扩大其第7代X系列IGBT模块*¹的产品线,剑指规模巨大的风力发电市场,并已启动1,700伏电压等级的样品出货。*1:绝缘栅双极型晶体管01目标IGBT模块可安装于驱动电机的逆变器、不间断电源供应系统(UPS)和风力或光伏发电厂的电力调节系统(

    2019-09-06 89

  • 英飞凌芯片发展简史

    IGBT 1234567,看这一篇就够了话说公元2018年,IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人,一时风头无两,各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年,独领风骚的数代当家掌门人,分别是:呃,好像分不清这都谁是谁?呃,虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样,但都是闷骚型的。只能脱了衣服,做个“芯”脏手术。。。像这样,在芯片上,横着切一刀看看。好像,有点不一样了

    2019-09-06 97

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