• 如何有效地检测SiC MOSFET

    随着宽禁带半导体技术的日益普及,需要在高温和苛刻的电流循环条件下,对二极管操作进行各种耐久性测试,以评估其性能。毫无疑问,功率电子器件作为基本元器件,将在未来几年中持续发展。而新型碳化硅(SiC)半导体材料更是不负众望,它比传统硅材料导热性更佳、开关速度更高,而且可以使器件尺寸做到更小。因此,碳化硅开关也成为设计人员的新宠。碳化硅二极管主要为肖特基二极管。第一款商用碳化硅肖特基二极管十多年前就已推

    2020-10-10 8

  • IGBT的设计与仿真

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    2020-10-10 11

  • 半导体 | 高速IGBT和SiC-SBD相结合的高速混合型模块

    半导体 | 高速IGBT和SiC-SBD相结合的高速混合型模块原创: 富士电机(中国)  10月17日近年来,为进一步实现电力转换装置的小型轻量化和高效化,需要在高频区域进行电力转换的应用日益增多,这就要求开关器件速度更快和损耗更低。富士电机将高频区域下,损耗低的高速IGBT和SiC-SBD相结合,开发了高速混合型模块,实现了开关损耗的大幅降低。其结果,变频器在高频运

    2019-12-19 40

  • 英飞凌芯片发展简史

    IGBT 1234567,看这一篇就够了话说公元2018年,IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人,一时风头无两,各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年,独领风骚的数代当家掌门人,分别是:呃,好像分不清这都谁是谁?呃,虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样,但都是闷骚型的。只能脱了衣服,做个“芯”脏手术。。。像这样,在芯片上,横着切一刀看看。好像,有点不一样了

    2019-09-06 97

  • 1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能(上)

    1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能(上)  去年英飞凌推出了全新的IGBT7,引起了广泛关注它专为电机驱动设计,可谓项目“配7”,性能“配齐”很多同学好奇,为什么IGBT7能实现这样的性能?IGBT7的结构相对于前代,有了哪些改进?那么就让我们跟着这篇论文看看这新一代的技术领航者究竟有何过人之处吧摘要本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新120

    2019-02-21 68

  • 从汽车芯片产业格局揭秘罗姆等巨头2109年布局

    从汽车芯片产业格局揭秘罗姆等巨头2109年布局智能驾驶涉及人机交互、视觉处理、智能决策等,核心是 AI 算法和芯片。伴随汽车电子化提速,汽车半导体加速成长,2017 年全球市场规模 288 亿美元(+26%),远高于整车销量增速(+3%),其中占比最高的为功能芯片 MCU(66 亿美元,占比 23%),随后还包括功率半导体(21%)、传感器(13%)等。 汽车半导体按种类可分为功能芯片

    2019-02-20 46

  • FUJI 第7代IGBT模块X系列

    第7代IGBT模块X系列更新时间:2018-08-10      近年来,为了防止化石燃料枯竭和全球变暖,人们正在追求提高能源利用率和减少二氧化碳排放方面作出了努力。包括了马达驱动等工业应用,开关电源等民生应用,以及电动汽车和铁路、太阳能发电和风力发电等可再生能源应用等,使用功率半导体器件的高效率电力变换装置其适用领域和市场正在急速扩大。在功率半导

    2019-01-16 388

  • 深入探讨碳化硅工艺:半导体材料的新一代继承者

    深入探讨碳化硅工艺:半导体材料的新一代继承者 在众多的半导体材料中,碳化硅(Silicon Carbide, 简称SiC)以其良好的物理和电学性能成为继承锗、硅、砷化镓之后新一代微电子器件和电路的半导体材料。表1列出了几种重要半导体材料的基本特性比较,从中我们可以看出SiC与传统的半导体材料相比所具有的优越性。 表1:室温下几种半导体材料特性的比较SiC材料的宽禁带使得其器件能

    2019-01-15 35

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